Емельяненков Д.Г.

 Использование: при производстве приборов и устройств полупроводниковой электроники, а также криоэлектроники. Диэлектрический слой осаждают в виде аморфного материала при температуре подложки не свыше 300C, а затем осуществляют нагрев слоя до температуры, обеспечивающей фазовый переход диэлектрика в кристаллическое состояние, импульсным воздействием потоками плазмы или потоками квантов в с...