Семенов О.Г.

 Изобретение относится к газовой промышленности и может быть использовано при сооружении подземных газохранилищ в водоносных пластах. Цель - снижение затрат и сокращение сроков разведки структуры, приуроченной к геологической провинции платформенного типа. Способ разведки геологической структуры при создании подземного газохранилища включает два локальных поднятия для выделения водоносного...

 Изобретение относится к газовой промышленности и может быть использовано при создании и эксплуатации подземных хранилищ (ПХ) природного газа в истощенных газовых месторождениях. Цель - сокращение сроков создания ПХ путем закачки газа в пласт-коллектор повышенными темпами при одновременном увеличении активного объема. Способ создания ПХ включает бурение скважин для закачки газа. Перед зака...

 Использование: при производстве приборов и устройств полупроводниковой электроники, а также криоэлектроники. Диэлектрический слой осаждают в виде аморфного материала при температуре подложки не свыше 300C, а затем осуществляют нагрев слоя до температуры, обеспечивающей фазовый переход диэлектрика в кристаллическое состояние, импульсным воздействием потоками плазмы или потоками квантов в с...