Тюнькова З.В.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к получению поверхностей арсенида галлия без углеродсодержащих загрязнений. Цель изобретения - улучшение качества поверхности арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В способе после химико-механической полировки в течение времени не более 10 мин проводят химическую обработку в растворе перекиси водорода. П...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии. Цель изобретения - повышение качеств поверхности пластин арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В данном способе проводят обработку в травителе, содержащем, мас.ч.: водный аммиак (25%)-1; перекись водорода (30%) 1,5 - 2,18; вода 5,45 - 1,09. Дл...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пластин арсенида галлия на стадии финишного копирования. Цель изобретения улучшение плоскостности пластин при сохранении качества поверхности. Указанная цель достигается воздействием на пластины вращающегося полировальника и полирующего состава, содержащего абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для полирования полупроводниковых частиц. Целью изобретения является повышение точности обработки. Указанная цель достигается тем, что на каждый спутник наклеивают три пластины, размещают спутники в гнездах кассеты, действуют на пластины вращающимся полировальным и абразивной композицией, причем линейная скорость...

  Сущность изобретения: утонения ведут по циклу: механическая обработка и полирующее травление. После каждой операции измеряют неплоскостность. Цикл повторяют. Последнюю механическую обработку проводят на глубине не более 50 мкм. Последнее полирующее травление проводят на глубину, обуславливающую повышение неплоскостности в 2,0-5,0 раз по отношению к предыдущей механической обработке. Изоб...

  Использование: при алмазном полировании пластин кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: прижимают пластины к полировальнику и придают им относительное вращение пластинам и полировальнику. При этом берут полировальник из тканевого безворсового материала. Масло наносят на полировальник, по крайней мере в два этапа, на первом из которых на 1 м2...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: способ включает воздействие на наклеенные пластины вращающегося полировальника и абразивного состава с вязкостью 4 - 8 сП при нагружении пластин. В качестве полировальника используют лавсановую ткань. Обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра ка...