Адливанкин А.С.

 Использование: полупроводниковые источники излучения для создания систем передачи и обработки информации, записи и воспроизведения данных. Сущность изобретения: на поверхности подложки с противоположной стороны расположения гетероструктуры с контактным слоем помещены слой из AlxGa1-xAs толщиной, равной суммарной толщине эмиттеров гетероструктуры, и слой из GaAs толщиной, равной толщине ко...