PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кронгауз В.Г.

Изобретатель Кронгауз В.Г. является автором следующих патентов:

Способ поверхностной обработки люминофоров на основе сульфида цинка и кадмия

Способ поверхностной обработки люминофоров на основе сульфида цинка и кадмия

 Изобретение относится к технологии получения люминифоров для рентгеновских экранов на основе сульфидов цинка и кадмия. Сущность изобретения: предварительно люминофор перемешивают с раствором силиката калия в количестве, достаточном для нанесения на люминофор 0,01 - 0,1 мас. % диоксида кремния, добавляют в суспензию изопропиловый спирт или 1% -ный водный раствор нитрата стронция или бария...

2008315

Способ поверхностной обработки люминофора на основе сульфида цинка и кадмия

Способ поверхностной обработки люминофора на основе сульфида цинка и кадмия

 Использование: рентгеновские экраны. Сущность изобретения: люминофор на основе сульфида цинка и кадмия обрабатывают гидрофобизирующим органическим соединением, представляющим собой 0,1 - 8,0% -ный спиртовой раствор трикрезилфосфата в количестве 0,006 - 0,1 мас. % при перемешивании с водной суспензией люминофора. Относительная яркость ренгенолюминесценции 102 - 104% , седиментационный объе...

2008318

Шихта для получения кальцийвольфраматного рентгенолюминофора

Шихта для получения кальцийвольфраматного рентгенолюминофора

  Сущность изобретения: шихта содержит следующие компоненты, мас.%: кальций хлористый 0,5 - 6; гексагидрат магния хлористого в расчете на безводную соль 0,1 - 5; очищенный вольфрамат кальция остальное. К очищенному вольфрамату кальция добавляют деминерализованную воду, раствор CaCl2 и раствор MgCl2. Полученную шихту сушат до состояния пыления и прокаливают на воздухе при 900°С 1 ч. Характе...

2034898

Термолюминесцентный материал

Термолюминесцентный материал

 Сущность изобретения: термолюминесцентный материал на основе термолюминофора с шириной запрещенной зоны от 7 до 11,5 эВ содержит дополнительно полупроводниковый элемент или полупроводниковое соединение с шириной запрещенной зоны от 0,18 до 2,7 эВ в количестве 1 30 мас. Относительная чувствительность к тяжелым заряженным частицам / материала составляет 1,46 13,6. 1 з.п. ф-лы. Изобретение о...

2039076