Типаева В.А.

 Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p - n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей п...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на усовершенствование способа в части исключения потери золота, повышения технологичности и универсальности способа, повышения качества кристаллов после разделения подложки, а также повышения надежности металлизации в сквозных отверстиях. Сущность: в способе изготовления полупроводникового кристалла в качестве о...