Соловейчик А.В.

  Использование: изобретение предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов и в интегральных и дискретных структурах. Сущность изобретения: способ включает формирование окисного слоя на подложке и последующее термическое нитрирование его в азотсодержащей газ...