Шмиткин О.М.
Изобретатель Шмиткин О.М. является автором следующих патентов:
Способ изготовления кристалла с диффузионным p - n-переходом
Сущность изобретения: с кристалла в виде шестигранника снимают фаску в виде усеченного конуса. Величину бокового скоса контролируют по диаметру верхней площадки. 1 ил. Изобретение может быть использовано при изготовлении высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров с управляемым лавинообразованием поверхности. Известны технических решения, с помощью которых на кристаллах четырехугольн...
2008746