PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Шмиткин О.М.

Изобретатель Шмиткин О.М. является автором следующих патентов:

Способ изготовления кристалла с диффузионным p - n-переходом

Способ изготовления кристалла с диффузионным p - n-переходом

 Сущность изобретения: с кристалла в виде шестигранника снимают фаску в виде усеченного конуса. Величину бокового скоса контролируют по диаметру верхней площадки. 1 ил. Изобретение может быть использовано при изготовлении высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров с управляемым лавинообразованием поверхности. Известны технических решения, с помощью которых на кристаллах четырехугольн...

2008746