Сурмач О.М.

 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по выс...

 (19)SU(11)529687(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве вакуумных интегральных схем, а также микросхем. Известны вакуумные интегральные схемы...

 (19)SU(11)602040(13)A2(51)  МПК 5    H01J21/10(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов и вакуумных интегральных схем. В основном изобретении по а...

 (19)SU(11)688022(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/14(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении диэлектрических подложек вакуумн...

 (19)SU(11)716427(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/14(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Предлагаемый способ относится к электронной технике и может быть использован в производстве интегральных микросхем, катодно-подогревательных узлов и управля...

 Вакуумный запоминающий активный элемент, содержащий размещенные в вакуумированном корпусе источник электронов, сегнетоэлектрическую планку и нанесенные на ее поверхности металлические электроды, отличающиеся тем, что, с целью повышения быстродействия запоминающего элемента, в сегнетоэлектрической пленке электроде, обращенном к источнику электронов, выполнены соосные отверстия, а источник...

 Способ получения пленочного многоэлементного термоэлектрического преобразователя, включающий формирование диэлектрической подложки из анодного оксида алюминия, напыление пленочных подогревателей и контактов, нанесение пленочных многокомпонентных p- и n-полупроводниковых ветвей термопар из GeTe и PbTe и герметизацию в корпусе, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости техн...

 Использование: в термоэлектрических приборах, в частности в термоэлектрических преобразователях для измерения среднеквадратичных значений напряжения и тока. Сущность изобретения: при изготовлении пленочного термоэлектрического преобразователя в качестве ветвей термопар используются пленки (Bi, Sb)2Te3 и Bi2(Te, Se)3, сформированные на подложке из анодоного оксида алюминия при скоростях на...