Галеев А.П.

 Применение: относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности и качества полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: способ включает облучение испытуемых приборов пучком импульсного лазерного излучения, измерение электрических параметров испытуемых приборов, сравнение измеренных параметров с эталонными. Облучение проводят длиной волны в интервале 1,24...