Лискин Л.А.

 Изобретение относится к технологии производства интегральных микросхем и позволяет производить контроль качества исходных кремниевых пластин на начальном этапе. Целью изобретения является осуществление возможности прогнозирования количества годных приборов заданного типа. Предлагаемый способ контроля пригодности монокристаллических кремниевых пластин включает в себя облучение пластин ИК-с...

 Использование: изобретение относится к технологии производства ИС, в частности к способу и устройству для формирования тонких пленок на поверхности полупроводниковых подложек. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования тонких пленок на полупроводниковой подложке, включающем закрепление подложки на вращающемся столике, снабженном вакуумным захватом, поворот подложки...

 Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, в частности к способу и устройству для удаления позитивного фоторезиста с поверхности полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: целью изобретения является повышение качества удаления фоторезиста за счет полного удаления граничной пленки с рабочей поверхности. Способ заключается в облучении ультрафиол...