Конончук И.И.

 Относится к устройствам для газофазного наращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа A3B5. Устройство содержит реактор вертикального типа. В верхней части реактора выполнены средства для ввода водорода и газовой смеси. Средство для ввода газовой смеси выполнено в виде перфорированного патрубка, размещенного по оси реактора и в его полости. Коаксиально патрубку устано...