Мосеенков А.Д.

 Сущность изобретения: при удалении покрытий полупроводниковых приборов плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10 - 15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля. 1 ил. Изобретение относится к электронной технике, к механической обработке полупроводниковых пр...