Матанов А.В.

 Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охв...

 Сущность изобретения: прибор снабжен изолирующим дисковым элементом с односторонней металлизацией и радиальным пазом, на котором закреплены навесные активные и пассивные элементы. 4 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к деталям и конструктивным элементам таких полупро- водниковых приборов, как транзисторы, тиристоры, симисторы, и может быть использовано в разли...