Пересада А.Г.

 Шихта для получения керамического материала, включающая диоксид циркония и порошок циркония, отличающаяся тем, что, с целью повышения твердости, огнеупорности, температуры начала деформации под нагрузкой, она дополнительно содержит стабилизирующий оксид элемента из группы кальций, магний, алюминий, церий, иттрий или их смесь при следующем соотношении компонентов, мас.%: Порошок циркония -...

 Шихта для получения сверхпроводящего керамического материала, содержащая компоненты на основе висмута или таллия, меди и щелочноземельных элементов, отличающаяся тем, что, с целью повышения сверхпроводящих характеристик материала, шихта содержит висмут или таллий и/или медь в виде металлов, а щелочноземельные элементы в виде пероксидов, при этом компоненты содержатся в стехиометрических с...

 Способ получения сверхпроводящего материала, включающий приготовление шихты из смеси соединений, содержащих редкоземельный металл из ряда: скандий, иттрий и лантаноиды, металлы I и II групп, а также восстановитель, в качестве которого используют редкоземельный металл, или металл I или II групп, или гидриды этих металлов, или их смесь, а также последующую термообработку приготовленной шихт...

 1. Способ получения сверхпроводящего оксидного материала, включающий приготовление смеси оксида редкоземельного металла с барий- и медьсодержащими компонентами с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности и чистоты продукта, увеличения производительности процесса, термообработку проводят в режиме горения в среде кислорода, при этом в качестве медьсо...

 Использование: в электронной и электротехнической промышленностях при изготовлении сверхпроводящих элементов общей формулы LnBa2Cu3O7-8, где Ln - У, Ув, Sm, Еи, Ду, Но. Сущность изобретения: смешивают исходные компоненты и проводят термическую обработку полученной смеси в кислородсодержащей атмосфере при 860 - 900С. В качестве Ва-Си-содержащего компонента используют смесь купрата бария Ba...

 Использование: в области электронной промышленности для получения высокотемпературных сверхпроводников-ВТСП. Способ включает выращивание монокристаллов YBa2Cu3O7-б (К) из раствора-расплава состава (мас. % ) : BaCu2O2 60 - 95 и CuO 5 10. Температура процесса 820 - 830С. Получены К размером 550,01 мм3. Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристал...

 Изобретение относится к получению сверхпроводящих материалов и применяется в электронной технике, в производстве сверхпроводящих соленоидов, защитных экранов и быстродействующих счетных устройств, в технике низких температур. Цель - повышение прочности при сохранении высоких сверхпроводящих характеристик. Компоненты уплотняют до относительной плотности по меньшей мере 0,45, горение уплотн...