Смирнова Т.П.

 Использование: при изготовлении структур на полупроводниках A3B5. Сущность изобретения: слои нитрида бора получают в результате взаимодействия боразола и гелия в условиях ВЧ-разряда. 1 табл. Изобретение относится к области изготовления структур на полупроводниках А3В5. Одной из важнейших проблем в технологии изготовления структур на полупроводниках типа А3В5 является улучшение качества гр...

  Использование: способ получения слоев оксида кремния, используемый в микроэлектронике для получения диэлектрических слоев при низких температурах. Сущность изобретения: получение стехиометрических слоев оксида кремния плазмохимическим окислением гексаметилдисилазана закисью азота, которые вводятся в реактор за зоной индуктора разряда при парциальных давлениях соответственно (0,5-2,0)10-2...