Кондрашов Владимир Владимирович

 Использование: область полупроводникового производства. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор гребенчатой структуры имеет коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости и эмиттерную область первого типа проводимости с шириной эмиттерных гребенок a. Новым в конструкции мощного транзистора является то, что расстояние между эмиттерными...