Филипченко В.Я.

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500...

 (19)SU(11)1204101(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/18(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых инжекционных лазеров для оптическ...

 Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых источников излучения, преимущественно инжекционных лазеров. Цель изобретения - уменьшение порогового тока накачки и повышение его воспроизводимости . Цель достигается выполнением поверхности подложки под углом к кристаллографической плоскости (001). При этом положение по...

 Изобретение относится к области технологии полупроводникового производства и может быть использовано при палладировании поверхности полупроводниковых соединений типа А III B V в процессе изготовления, например, светодиодов, инжекционных лазеров, диодов Ганна и т.д. Цель изобретения - повышение качества металлизации и снижение расхода палладия. Согласно изобретению осаждение палладия на по...

 Изобретение относится к производству вакуумных люминесцентных индикаторов и может быть использовано при контроле изготовленных приборов для обнаружения местоположения коротких замыканий. На внешнюю сторону стеклянной анодной платы индикатора наносят слой вещества - термоиндикатора (например, ТИБ - 40), подают на сегменты индикатора напряжение, монотонно увеличивая его значение от нуля, в...

 Использование: при изготовлении толстопленочных структур и может быть использовано в электронной технике при производстве индикаторных приборов, в частности вакуумных люминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: для повышения разрешающей способности электропроводящей пасты для прецизионной печати сложных топологических рисунков в электропроводящую пасту, содержащую органическое связу...