Когут И.Т.

 Использование: в микроэлектронике для создания матричных МДП-транзисторов и интегральных схем на их основе, включая многослойные, со структурами кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: матричный КНИ МДП-транзистор состоит из монокристаллической кремниевой подложки с последовательно сформированными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния, содержащего ч...