Еремина Е.Г.

  Использование: способ получения слоев оксида кремния, используемый в микроэлектронике для получения диэлектрических слоев при низких температурах. Сущность изобретения: получение стехиометрических слоев оксида кремния плазмохимическим окислением гексаметилдисилазана закисью азота, которые вводятся в реактор за зоной индуктора разряда при парциальных давлениях соответственно (0,5-2,0)10-2...