PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Денисюк В.А.

Изобретатель Денисюк В.А. является автором следующих патентов:

Способ изготовления источников диффузии фосфора

Способ изготовления источников диффузии фосфора

 (19)RU(11)1292622(13)C(51)  МПК 6    H01L21/22Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 1 год с 19.06.1993 по 18.06.1994(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению твердых источников диффузии фосфора в кремниевые пластины диаметром 7...

1292622

Твердый планарный источник диффузии фосфора

Твердый планарный источник диффузии фосфора

  Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д. Целью...

1563507

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии фосфора на основе пирофосфата кремния

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии фосфора на основе пирофосфата кремния

 Использование: в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем для изготовления твердых планарных источников диффузии фосфора, применяемых для кремниевых пластин диаметром 75 мм при температурах диффузии до 1050°С с целью повышения выхода годных источников при изготовлении и увеличения срока их службы. Сущность изобретения: перед нанесением диффузанта на термостойкую под...

1780457

Способ диффузии фосфора из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ диффузии фосфора из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов

  Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам диффузии фосфора при изготовлении силовых полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ диффузии фосфора из твердого источника предназначен для повышения выхода годных полупроводниковых приборов с высоколегированными диффузионными областями n-типа за счет исключения загрязнения металлическими примесями формиру...

1829758

Способ получения изображения дефектов полупроводниковых пластин большой площади и устройство для его осуществления

Способ получения изображения дефектов полупроводниковых пластин большой площади и устройство для его осуществления

 Использование: изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и микросхем, а именно к контролю поверхностных рекомбинационных дефектов окисленных полупроводниковых пластин больших площадей. Сущность изобретения: для повышения разрешающей способности и чувствительности измерений осуществляют поточечное дискретное сканирование пластины лазерным зондом диаметром 15 мм макроуч...

2013820


Делитель частоты с переменным коэффициентом деления

Делитель частоты с переменным коэффициентом деления

 Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, а также к системам автоматического управления и может найти применение в системах числового программного управления, в измерительных и вычислительных устройствах. Цель изобретения - сокращение аппаратурных затрат и уменьшение выходной нагрузки двоичного счетчика. Делитель частоты с переменным коэффициентом деления содержит двоич...

2015539