Лозовский А.Д.

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам подготовки монокристаллического кремния к легированию или нанесению покрытий. Способ заключается в том, что поверхность полупроводника облучают ионами Ar+ или Kr+ с энергией 1 . . . . 4 кэВ, флюенсом 1015....1016ионсм2 , а после облучения проводят нагрев до 1100 К с одновременной регистрацией термопотока молекул...