Панеш А.М.

  Изобретение относится к управляемому термоядерному синтезу. Цель изобретения - необратимое изменение сорбционных свойав углеситалла УСБ-15. Предварительно обезгаженную поверхность углеситапла при температуре 293 - 600 К подвергают бомбардировке ионами гелия Не с энергией 500 - 600 эВ, причем доза облучения не менее . (щ SU ин 4073Я2 А! (51) 5 G21В1 00 сОтОЗ сОВетских СОЦИАЛИ...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам подготовки монокристаллического кремния к легированию или нанесению покрытий. Способ заключается в том, что поверхность полупроводника облучают ионами Ar+ или Kr+ с энергией 1 . . . . 4 кэВ, флюенсом 1015....1016ионсм2 , а после облучения проводят нагрев до 1100 К с одновременной регистрацией термопотока молекул...