Луценко Е.В.

 Использование: при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Сущность изобретения: на полупроводниковой пластине их теллурида кадмия с оптическим резонатором, состоящим из двух зеркал, одно из которых глухое, последнее изготавливают на поверхности с кристаллографической ориентацией (III) путем травления этой поверхности в смеси азота и солян...

 Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из селенида цинка, изготавливают оптический резонатор, состоящий из двух зеркал. Глухое зеркало изготавливают на поверхности пластины, перпендикулярной кристаллографическому...

 Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из арсенида галлия, изготавливают оптический резонатор, состоящий из двух зеркал. Глухое зеркало резонатора изготавливают на поверхности пластины, перпендикулярной кристалло...

  Использование: в кристаллографии, полупроводниковой технике и других областях, где исследуются материалы с помощью электронных разрядов. Сущность изобретения: на монокристалл -дифосфида кадмия подается электрическое поле с помощью иглового электрода через разрядный промежуток игла-кристалл, помещенный в диэлектрическую жидкость. Игловой электрод подводят со стороны базисных плоскостей с...