Шкадаревич А.П.

 (19)SU(11)1064835(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления сред для лазерных элементов и может быть...

 (19)SU(11)1152475(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии изготовления оптически...

 (19)SU(11)1220475(13)A1(51)  МПК 6    G02F1/35(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 - ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано дл...

  Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологии изготовления оптических элементов. Цель изобретения получение генерации в области 0,64 0,72 мкм и увеличение срока службы лазера в указанном диапазоне. Данный способ изготовления лазерной среды заключается в том, что кристалл фторида лития с примесью магния подвергается облучению при температуре от 196°С до 40°С дозами...

 Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 3685 К до установления неизменного зн...

 Использование: способ предназначен для повышения лучевой прочности монокристаллов и изделий из лейкосапфира, рубина и тикора. Сущность изобретения: обработку ведут путем отжига при температуре не менее 1750С в атмосфере кислорода и водорода, отжигают монокристаллы с концентрацией активатора не более 0,2 вес. % сначала в окислительной атмосфере с парциальным давлением кислорода 1103-1105 П...

 Использование: при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Сущность изобретения: на полупроводниковой пластине их теллурида кадмия с оптическим резонатором, состоящим из двух зеркал, одно из которых глухое, последнее изготавливают на поверхности с кристаллографической ориентацией (III) путем травления этой поверхности в смеси азота и солян...

 Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из селенида цинка, изготавливают оптический резонатор, состоящий из двух зеркал. Глухое зеркало изготавливают на поверхности пластины, перпендикулярной кристаллографическому...

 Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из арсенида галлия, изготавливают оптический резонатор, состоящий из двух зеркал. Глухое зеркало резонатора изготавливают на поверхности пластины, перпендикулярной кристалло...