Яблонский Г.П.

 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в обра...

 Изобретение относится к кристаллографии и исследованию физических и химических свойств кристаллов и может быть использовано при определении качества поверхности, распределения субзерен и дефектов. Целью изобретения является повышение экспрессности и расширение возможностей способа. Способ осуществляется следующим образом. На пластину кристалла с микроскопическими фигурами травления направ...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллов. Цель изобретения - повышение информативности путем определения блочной структуры кристалла. Ориентируют кристаллографические поверхности кристалла и погружают его в диэлектрическую жидкость. С помощью двух электродов, один из которых...

 Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Целью изобретения является увеличение выходной мощности излучения лазера. Благодаря замене одного из зеркал резонатора лазера поверхностью в виде микрорельефа из уголковых отражателей, усиливается излучение в направлении оси резон...

 Использование: при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Сущность изобретения: на полупроводниковой пластине их теллурида кадмия с оптическим резонатором, состоящим из двух зеркал, одно из которых глухое, последнее изготавливают на поверхности с кристаллографической ориентацией (III) путем травления этой поверхности в смеси азота и солян...

 Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из селенида цинка, изготавливают оптический резонатор, состоящий из двух зеркал. Глухое зеркало изготавливают на поверхности пластины, перпендикулярной кристаллографическому...

 Использование: технология изготовления мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком используют пластину из арсенида галлия, изготавливают оптический резонатор, состоящий из двух зеркал. Глухое зеркало резонатора изготавливают на поверхности пластины, перпендикулярной кристалло...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводниковых кристаллов cds. Сущность изобретения: каждую поверхность образца освещают светом, регистрируют спектр экситонного излучения в диапазоне длин волн 482-496 нм и определяют кристаллографическую полярность для высокоомных кристаллов н...

  Использование: в кристаллографии, полупроводниковой технике и других областях, где исследуются материалы с помощью электронных разрядов. Сущность изобретения: на монокристалл -дифосфида кадмия подается электрическое поле с помощью иглового электрода через разрядный промежуток игла-кристалл, помещенный в диэлектрическую жидкость. Игловой электрод подводят со стороны базисных плоскостей с...