Харченко К.В.
Изобретатель Харченко К.В. является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллов германия
Использование: металлургия полупроводников. Сущность изобретения: исходный германий расплавляют, добавляют (3-5)10-4 мас.% неодима и вытягивают монокристалл на затравку. Увеличивают время жизни неосновных носителей заряда и снижают отношение времени жизни основных носителей заряда к времени жизни неосновных носителей заряда в германии. Изобретение относится к металлургии полупроводниковых...
2014372