Савин И.И.
Изобретатель Савин И.И. является автором следующих патентов:

Устройство осаждения слоев из газовой фазы
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с подложкодержателем, перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой, герметичный кожух, охлаждаемый экран,...
2014670