Мухитдинов Д.З.
Изобретатель Мухитдинов Д.З. является автором следующих патентов:

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического прибора
Использование: способы создания высокочувствительных фотодетекторов в ИК- и видимой области спектра излучения. Сущность изобретения: получают компенсированный кремний и приповерхностный слой с силицидом марганца при диффузионном циклически легированном марганце p-типа кремния марки КДБ-10. Удаляют силицидный слой с пяти граней параллелепипеда и на оставшейся грани создают многослойную ст...
2014672