Шибанов А.П.

 Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. Цель - улучшение энергетических параметров путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами. Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, баз...

 Изобретение относится к авиации, а именно к способам управления пограничным слоем на аэродинамической поверхности ЛА. Цель изобретения - уменьшение энергозатрат для улучшения аэродинамических характеристик ЛА путем отсоса пограничного слоя. Это достигается тем, что в известном способе управления пограничным слоем на аэродинамической поверхности ЛА, основанном на формировании присоединенны...

 Изобретение относится к авиации, а именно к устройствам управления пограничным слоем для изменения аэродинамических характеристик ЛА. Положительный эффект изобретения заключается в создании устройства, обеспечивающего при малых энергетических затратах безотрывное обтекание аэродинамической поверхности ЛА. Для этого в устройстве управления пограничным слоем, в вихревой камере 1, выполненно...

 Использование: для предотвращения отрыва потока от элементов конструкции движущихся в газовой среде объектов, например, летательных аппаратов. Устройство управления пограничным слоем выполнено в виде образованных на поверхности объекта каверн с размещенным в каждой из них центральным телом таким образом, что между ним и стенками каверны образуется кольцевой канал. Центральное тело - полое...

  Изобретение относится к авиационной технике и может быть использовано в конструкции летательных аппаратов на воздушной подушке, осуществляющих взлет и посадку с аэродромов любой категории. Результатом изобретения является возможность движения аппарата в приземном режиме и режиме свободного полета, взлет и посадка с неподготовленных аэродромов, высокоэффективная стабилизация и управление....

  Назначение: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: в СВЧ-транзисторе, содержащем основание, на котором расположен полупроводниковый кристалл, и крышку, основание выполнено в виде постоянного магнита. Электрическое соединение выводов с электродами кристалла осуществлено с помощью упругих щупов. 6 з.п. ф-лы, 8 ил. Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может...