Товстенко В.И.

 Использование: при изготовлении фотоэлектрических полупроводниковых приемников. Сущность изобретения: при склеивании пластины CdxHg1-xTe с сапфировой подложкой на склеиваемые поверхности наносят композицию, содержащую на 100 мас.ч. смолы 5 - 10 мас.ч. сульфониевого производного гексафторфосфата, соединяют склеиваемые поверхности и воздействуют через подложку лазерным излучением в ультрафи...