Шнейдер А.Г.

 (19)SU(11)814225(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления активных элементов твердотельных ОКГ и может быть использов...

 (19)SU(11)1102458(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологии изготовления оптических элементов, служащих для...

 (19)SU(11)1152475(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии изготовления оптически...

 Лазерный материал для активных элементов и пассивных затворов на основе монокристаллического фтористого лития с примесными ионами гидроксила OH и рабочими F+2-центрами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь, он дополнительно содержит примесь натрия в количестве 0,5 - 3 мас.%.

 Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в...

 1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в...

 Способ получения фазы Bi2Sr2CaCuO8- путем кристаллизации из расплава, включающий приготовление расплава необходимого состава, охлаждение до температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных кристаллов, расплав приготавливают из шихты исходного состава Bi2Sr1,6+xCa1,4+xCuO8+

 Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 -...

 Использование: в технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: готовят шихту стехиометрического состава, соответственно составу материала Bi2Sr2CaCu2O8+ отжигают ее, расплавляют и закаливают на воздухе, после чего проводят термообработку при 840 - 845oС не менее 10 ч. Свойства материала: процентное содержание фазы Bi - 2212 составляет 70 - 90%. И...

 Изобретение относится к технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: из оксидов Bl, Pb,Cu и карбонатов Sr и Ca получают соединения Bl1,6Pb0,4Ca1, 4Sr1,6Cu2O8 и CaCuO8 измельчают их, смешивают в стехиометрическом соотношении, соответствующем составу Bl1,6Pb0,4 Ca2Sr2Cu3O10 и отжигают в течение 50 ч. Изобретение относится к технологии синтеза высо...

 Изобретение относится к технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: готовят шихту в стехиометрическом соотношении, соответствующем составу Bi1,6Pb0,4Sr2-xCa2+xCu3O10, где 0,35 x 0,4, проводят синтез и отжигают при 840 - 850oС в течение 50 - 60 ч. Изобретение относится к технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводниковых материалов и мо...

  Использование: для получения сверхпроводящих фаз Bi-2212 и Bi-2223 методом твердофазного синтеза. Сущность ия: готовят смесь из Bi2O3 , SrCO3 и CuO, соответствующую составу 2: 2:0:1 по катионам Bi, Sr, Ca, Cu, а также смесь CaCO3 и CuO, соответствующую составу 1:1 по катионам Ca и Cu, спекают первую смесь при температуре 800°С в течение 2 ч, а вторую - при 1000°С в течение 8 ч в аргоне,...