Покровский Ф.Н.
Изобретатель Покровский Ф.Н. является автором следующих патентов:

Способ контроля полупроводниковых интегральных схем
Сущность изобретения: способ заключается в том, что объект контроля подвергают циклическому воздействию тестовых сигналов, а также высоких и низких температур, а за информативный параметр принимают площадь петли гистерезиса полученной зависимости критических напряжений при нагревании и охлаждении. 2 ил. Изобретение относится к технической диагностике и может быть использовано в производст...
2018148