Гладыщук А.А.

 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в обра...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллов. Цель изобретения - повышение информативности путем определения блочной структуры кристалла. Ориентируют кристаллографические поверхности кристалла и погружают его в диэлектрическую жидкость. С помощью двух электродов, один из которых...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводниковых кристаллов cds. Сущность изобретения: каждую поверхность образца освещают светом, регистрируют спектр экситонного излучения в диапазоне длин волн 482-496 нм и определяют кристаллографическую полярность для высокоомных кристаллов н...