Брюхно Н.А.

 (19)SU(11)1056807(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых эпитаксиальных структур. Для...

 (19)SU(11)1085439(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/26(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к производству кремниевых интегральных схем с диэлектрически изолированными n-p-n и p-n-p...

 (19)SU(11)1105075(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ Изобретение относится к технологии получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы, в частности, может быть исп...

 (19)SU(11)1116919(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых схем, в частности к изготовлению интегральных схе...

 (19)SU(11)1222149(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/74(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ Изобретение относится к производству полупроводниковых микросхем, в частности к изготовлению структ...

 (19)SU(11)1264440(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве кремниевых эпитаксиальных обращ...

 Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] , формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем...

 Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых структур, в частности к технологии изготовления кремниевых структур. Цель изобретения - повышение выхода годных структур путем увеличения механической прочности слоя поликристаллического кремния. При изготовлении кремниевых структур вводят дополнительные операции затравливания. Эти операции осуществляются в процессе роста с...

 Изобретение относится к конструкции реактора для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы, полученной смешиванием двух и более разнородных газов. Позволяет увеличить производительность реактора за счет сокращения времени на его очистку от продуктов реакции, упростить форму реактора и уменьшить его размеры. Реактор включает корпус с крышкой, подложкодержатель, па...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем. Цель изобретения - уменьшение трудоемкости изготовления структур путем формирования участков монокремния различной толщины однократным травлением и повышение выхода годных структур путем устранения операции фотолитогр...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС. Цель изобретения - повышение выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p - n - p транзисторных структурах. Для этого при изготовлении микросхем в полупроводниковой кремниевой подложке n-типа проводимости формируют диф...

  Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель - повышение плотности упаковки элементов и упрощение способа за счет уменьшения глубины изолирующих канавок, а также улучшение электрических характеристик микросхем за счет полной диэлектрической изоляции высоковольтных транзисторов. Для этого при изго...

 Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых интегральных схем, в частности к изготовлению быстродействующих интегральных схем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Целью является повышение выхода годных структур по напряжению пробоя за счет исключения попадания фосфора в области скрытых слоев. Способ включает вакуумную диффузию мышьяка в кремни...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления высоковольтных интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Для увеличения выхода годных за счет уменьшения глубины разделительных канавок выполняется следующая последовательность технологических операций: максированные нитридом кремния на поверхности кремниевой монокристаллической пластины n-типа областей, соответствующих располо...

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией элементов проводят двустороннюю механическую обработку исходной монокристаллической и опорной кремниевых пластин, формируют в исходной монокристаллической кремниевой пластине рельеф и скрытый слой...

  Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления высоковольтных мощных микросхем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении микросхем с диэлектрической изоляцией на плоскопараллельной монокристаллической слаболегированной кремниевой пластине вытравливают разделительные канавки, формируют сильнолегированный скрытый слой того же типа проводимости, что и п...

 Использование: изобретение может быть использовано при производстве кремниевых высоковольтных приборов и микросхем. Сущность: формируют активные и пассивные элементы структуры, проводят высокотемпературную обработку при температуре 1000 - 1250°С, затем проводят низкотемпературную обработку в два этапа: температуру первого этапа задают равной 800 - 950°С и проводят обработку в течение врем...