Полинская Р.Н.

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией элементов проводят двустороннюю механическую обработку исходной монокристаллической и опорной кремниевых пластин, формируют в исходной монокристаллической кремниевой пластине рельеф и скрытый слой...