Довнар Н.А.

 Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с ц...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления ИС на основе кремния. Цель - повышение выхода годных за счет предотвращения инверсии проводимости областей p-типа приборных элементов и деградации их параметров. Для этого на поверхности кремниевой структуры с приборными элементами формируют изолирующую пленку оксида кремния и на ней пленку фосфоросиликатного...

 Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающи...

 Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью сниже...

 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем в негерметичном корпусе (пластмассовом) или бескорпусных микросхем. Рисунок межэлементных соединений интегральных схем выполнен на поверхности полупроводниковой пластины со сформированными в ней активными и пассивными элементами, закрыт пассивирующим покрытием из фосфоросиликатного стекла...

 Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: при вскрытии окон к контактным площадкам и областям для разделения пластин размеры окон выбирают такими, чтобы верхний пассивирующий слой нитрида кремния перекрывал нижний пассивирующий слой фосфоросиликатного стекла на 0,2 - 5 мкм. 1 з.п. ф-лы. 1 ил., 2 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изго...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Использование изобретения повышает качество межэлементных соединений за счет уменьшения величины нарушенного слоя подложки. Материал контактно - барьерного подслоя для межэлементных соединений интегральных схем включает кремний и алюминий при следующем соотношении ингр...

 Использование: электронная техника и при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП транзистор включает выполненный на поверхности полупроводниковой подложки затвор с вертикальными стенками и пристеночными диэлектрическими областями, сформированные в полупроводниковой подложке по обе стороны от затвора исток-стоковые области, образованные слоями с примесной проводимостью одного и то...

 Изобретение относится к электронной технике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества межэлементных соединений за счет улучшения контакта между уровнями, снижение вероятности коротких замыканий. Межэлементные соединения интегральных схем включают контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в кремниев...

 Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-танзисторах. Цель изобретения - увеличение эффективности поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане за счет развития рельефа поверхности. Сущность изобретения: для создания обкладки конденсатора из поликристаллического кремния на поверхности полупроводниковой подложки создают диэлектрический сл...

 Использование: микроэлектроника, изготовление МДП-интегральных схем высокой степени интеграции. Сущность изобретения: повышение выхода годных и быстродействия МДП-транзистора за счет уменьшения емкости достигается тем, что на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости формируют затвор с вертикальными стенками, на поверхность со ступенчатым рельефом наносят...

 Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-транзисторах. Цель - повышение качества конденсатора за счет увеличения эффективной площади поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане. Сущность изобретения: при изготовлении обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем на поверхность полупроводниковой пластины со сфор...

 Использование: способ изготовления МДП-транзистора, применяемый в электронной технике и используемый при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП-транзистор создают путем формирования на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости затвора с вертикальными стенками, внедрения ионной имплантацией в пластину по обе стороны от затвора медленно диффундиру...

  Использование: в электронной технике, в частности в процессах изготовления полупроводниковых схем памяти на МДП-транзистоврах. Сущность изобретения: накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем включает первую обкладку из слоя проводящего материала, сформированного на поверхности созданного в полупроводниковой пластине углубления, на поверхности которого созданы выступы, к...