Кошелев О.Г.

 Использование: изобретение относится к области измерений электрофизических параметров полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для определения фотоэлектрических параметров подложек np-типа с тонким слоем p+(n+) -типа. В частности, оно может быть использовано для контроля элементов солнечных батарей. Сущность изобретения: P+(n+) -слой одновременно...