Андреева Е.Е.

 Использование: производство полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: планарный p-n-переход имеет две области различного типа проводимости, причем p-n-переход имеет замкнутую конфигурацию. Вокруг внутренней области сформированы кольцевые зоны одинаковой с ней проводимости в виде соединенной с внутренней областью и развивающейся к периферии спирали с расстояниями между витками спир...