Калинин С.Г.

 Сущность изобретения: полупроводниковый кристалл размещен в месте сопряжения первого и второго коаксиальных резисторов. 3 з.п. ф-лы, 4 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для получения стабильных по частоте колебаний в узкой полосе частот коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн. Известен генераторный СВЧ-диод, корпус которого со...