Косенко А.Н.
Изобретатель Косенко А.Н. является автором следующих патентов:

Способ стабилизации p-n-переходов
(19)SU(11)633389(13)A1(51) МПК 5 H01L21/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при промышленном изготовлении интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых прибо...
633389
Способ вскрытия локальных участков в окисленной поверхности полупроводниковой пластины
(в) SU (и) 668510 А1 (51) 5 Н01LZ1 311 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ {21) 2487423/25 (22) 39.05.77 (46) 30.10.93 Бюл. Ия 39-40 (72) Глущенко В.Н.; Косенко А.Н. (54) СПОСОБ ВСКРЫТИЯ ЛОКАЛЬНЫХ УЧАСТКОВ В ОКИСЛЕННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ...
668510
Источник диффузии для одновременного легирования кремния бором и золотом
I ß!1i СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) . ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 2599720/25 (22) 03.04.7S (46) ЗОЛОЮ Бюл. Ма 39-40 (72) Глущенко В.Н„Косенко АН. Пэпунин АС„Пло-. хих ВГ. (54) ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ДЛЯ ОДНОВРЕМЕННОГО ЛЕГИРОВЯНИЯ КРЕМНИЯ БОРОМ И . ЗОЛОТОМ (19) SU (11) 683397 AI (51) 5...
683397
Состав для изготовления сорбционного слоя датчика контроля паров этанола
Сущность изобретения: состав для изготовления сорбционного слоя содержит компоненты при следующем соотношении мас.%: оксид цинка 61,203600 - 89,051900, оксид железа (III) 0,612080 - 0,890050, нитрат кобальта (II) 0,657940 - 0,957300, хлорид цинка 0,008906 - 0,036725, вода остальное. Изобретение относится к области аналитического приборостроения и может быть использовано при разработке сор...
2022263