Преображенский П.В.

 Использование: в технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. Сущность изобретения: подложку с экспонированной пленкой фоторезиста размещают на центрифуге, устанавливают над ее поверхностью стеклянную пластину толщиной 3 - 5 мм с зазором 0,5 - 1 мм. Подают на поверхно...