Красножон А.И.

  совр совктских аещилистичкских вксп вщик 99ф3 ффустВВннОк ИАткнтиОк 35%5cc5% сссР (ГОСНАткит сссР) OIINCAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (о) au>mf)o (22) 07.94.75 {46) 30;t193 Вне 5h 43-И P2) Афанасьев ГГ„Глущенко(ВИ; Красноайн АИ. ((1) ж по агбар (51) 1 1 (Я} УСУРОЯСУВО ДЛЯ ДОЗИРОВАНИЯ ПАРОВ ЖИДКОСТИ (57) 522641 Формула изобретения УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДОЗИРОВАНИ...

  ((Ill Я ((11 2МИ4 А1 (5Ц 5 H Oi Ь И 02 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУВЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2 (23) 2633018/25 (22) 27.0678 (46) 301093 Бюа f4i 39-40 P2) Гиущенио ВН„Краскожон АИ. (54) CAQC05 ИЭГОТ09ЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ ТМКМ4СТОРЙЫХ ЮРУКТУР 705924 Изобретение относится к области микроэлектроники, преимущественно к технологии изготовления т...

 (19)SU(11)749293(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии и производству интегральных микросхем повышенной с...

  СО!ОЗ COBFTCMX СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 В 04 В 5/О2 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3684929/13 {22) ОЗ.О .Â4 (46) "5,10.93. Бюл, f+ 37-3, -.. (72) А.N,K PàÑÁÎæéH (56) Авторское свидетельство СССР М 813688, кл. 8 04 В 5/02, 1974, („"4.б-) Ц„-„ (п РИ УГА PPg P- ДЕ 1ЕНИЯ ЖИДКОСТИ OT ПРИМЕ...

 (19)SU(11)1284415(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/331(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ N-P-N ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых n-p-n-транзисторов,...

  Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цель изобретения - повышение тиражеетойкости фотошаблона На стеклянную подложку наносят слой полиимида, а затем слой As Se толщиной 100 - 300 нм состава X 1-X 0.2 х 0.5 и слой Ag толщиной 15 - 20 нм. Полученные структуры локально экспонируют, например, электронным лучом с. эне...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов Цель изобретения - увеличение тиражеаойкости фотошаблона На аеклянную подложку наносят слой органического материала - полиглицидилметакрилата с этилакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм и облучают его ультрафиолетовым облучением в вакууме не ниже 1,3 Па Затем о...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может бьгть использовано лри создании больших интегральных схем (БИС) и МДП-транзиаорах с поликре««1иевым затвором. Цель изобретения - ловышен е степени интеграции и быародейавия приборов путем уменьшения длины канала транзистора . Управление длиной канала осуществляется путем использования поликремниевого затвора в качеаве твердого иаоч...

 Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве МДП-транзисторов и интегральных схем на их основе. Целью изобретения является упрощение технологии изготовления, повышение быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе. С помощью LOKOS процесса создают на монокремниевой подложке полевой окисел. Затем изготавливают подзатв...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовления интегральных микросхем на МДП-транзисторах. Цель изобретения - увеличение выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении. На рабочей стороне кремниевой подложки формируют слои...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - повышение плазмостойкости маски (М). Фоторезистивную М после проявления обрабатывают в плазме смеси фторсодержащего газа и 20 - 40 об. % кислорода при давлении 60 - 100 Па и удельной мощности ВЧ-разряда 0,1-0,3 Вт/см2 . Затем осуществляют термообработку М. В результате плазменной обработки происходит анизотропное удал...

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектроники, предназначено для изготовления полупроводниковых приборов, в частности интегральных микросхем, и касается плазмохимической обработки структур с нанесенными на них пленками алюминия. Целью изобретения является улучшение качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора проду...

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению больших интегральных схем с двухуровневой металлизацией. Сущность изобретения: способ включает формирование МДП-структур, защищенных диэлектрическим слоем, формирование металлизации, удаление фоторезистивных масок, создание межуровневого диэлектрика, формирование контактных окон, нанесение пассивации. Во в...