Хворов Л.И.

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовления интегральных микросхем на МДП-транзисторах. Цель изобретения - увеличение выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении. На рабочей стороне кремниевой подложки формируют слои...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - повышение плазмостойкости маски (М). Фоторезистивную М после проявления обрабатывают в плазме смеси фторсодержащего газа и 20 - 40 об. % кислорода при давлении 60 - 100 Па и удельной мощности ВЧ-разряда 0,1-0,3 Вт/см2 . Затем осуществляют термообработку М. В результате плазменной обработки происходит анизотропное удал...

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектроники, предназначено для изготовления полупроводниковых приборов, в частности интегральных микросхем, и касается плазмохимической обработки структур с нанесенными на них пленками алюминия. Целью изобретения является улучшение качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора проду...

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению больших интегральных схем с двухуровневой металлизацией. Сущность изобретения: способ включает формирование МДП-структур, защищенных диэлектрическим слоем, формирование металлизации, удаление фоторезистивных масок, создание межуровневого диэлектрика, формирование контактных окон, нанесение пассивации. Во в...

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ включает формирование активных элементов структур с первым уровнем металлизации, нанесение межуровневого диэлектрика, травление контактных окон, формирование второго уровня металлизации, при этом на первый уровень наносят слой двуокиси кремния при низкой температуре и пониженном давлении. Затем наносят ф...