Петьков И.С.
Изобретатель Петьков И.С. является автором следующих патентов:
Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме
Изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием методом Чохрального в автоматическом режиме. Сущность: при реализации способа в расплав вводят пластину параллельно поверхности расплава и осуществляют дополнительную компенсацию локальным изменением температуры под фронтом кристаллизации Tп канал. Температуру под фронтом кристаллизации изменяют путем изменения силы тока...
2023063