Талипов Н.Х.

 Использование: полупроводниковая техника, в частности технология изготовления фотоприборов. Сущность: в нагретый до температуры 70 170°С образец CdxHg1-xTe P-типа проводят имплантацию ионов с энергией 10 150 кэВ и дозой 1012- 1014 см-2. При маскировании образца капсулирующим диэлектрическим покрытием, имплантацию проводят ионами, энергию которых увеличивают на величину энергетических поте...

  Использование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: по способу модификации поверхностного слоя теллурида кадмия ртути модификацию поверхности теллурида кадмия ртути проводят путем облучения локальных участков поверхности ионами с энергией 15 - 200 кэВ дозой 1013-1016 см-2 , а после облучения проводят удаление поверхностного слоя на глубину не менее проецированног...

  Испоьзование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: способ заключается в обработке поверхности образца из CdxHg1-xTe p-типа в плазме высокочастотного разряда ускоренными ионами с энергией 1 - 10 эВ и плотностью тока 4-8 мкА/см2. Затем проводят послойное травление образца, чередуя его с контролем свободных носителей на поверхности. Травление проводят до слоя с конц...