Нарышкин С.Н.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с улучшенными электрофизическими характеристиками за счет пониженной концентрации генерационно-рекомбинационных центров. Цель изобретения - улучшение электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных це...

 Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к приборам с зарядовой связью. Сущность изобретения: в приборе с зарядовой связью, включающем кремниевую подложку, подзатворный слой изолятора, поликремниевые электроды фаз с окисленными поликремниевыми шинами и контактные окна к ним, под контактными окнами между подзатворным слоем изолятора и прикремниевыми шинами размещены участки оки...