Деркач В.П.
Изобретатель Деркач В.П. является автором следующих патентов:
Способ последовательного раздвоения луча для сканирования элементов растра электронно-лучевого устройства
Класс 9)g 13.в № 142716 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 97 В. М. Глушков и В. П. Деркач СПОСОБ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО РАЗДВОЕНИЯ ЛУЧА ДЛЯ СКАНИРОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ РАСТРА ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОГО УСТРОЙСТВА Заявлено 26 января 1960 г. за Ме 652067/26 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Чинистров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» N...
142716Газоразрядная индикаторная панель
Газоразрядная индикаторная панель, содержащая переднюю и заднюю диэлектрические пластины, анодный, сеточные Х и Y, катодный и подкатодные электроды с резисторами развязки ячеек, разделенные диэлектрическими платами с отверстиями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения управляющих токов, сеточные Х, Y электроды размещены между анодным и катодным электродами. Настоящее изобретение относи...
755065Мультипроцессорная вычислительная система
(19)SU(11)768323(13)A1(51) МПК 6 G01F15/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) МУЛЬТИПРОЦЕССОРНАЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при создании высокопроиз- водительных многопроцессорных систем. Известна вы...
768323Мультипроцессорная вычислительная система
1. МУЛЬТИПРОЦЕССОРНАЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА, содержащая M процессоров, каждый из которых соединен двухсторонней связью с соответствующим блоком регистров связи, M блоков перестраиваемых передатчиков, M блоков перестраиваемых приемников, M блоков дешифрации команд управления передачей и M блоков дешифрации команд управления приемом, причем первая и вторая группы выходов i-го блока регистр...
833082Способ изготовления моп-транзистора
Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления полевых транзисторов с высокой степенью интеграции. Сущность изобретения: при изготовлении МОП-транзистора после формирования полевого окисла формируют поликремниевый электрод затвора. Для этого на поверхность кремниевой подложки со сформированной стуктурой двуокись кремния - нитрид кремния последовательно наносят первый слой двуо...
2024107