Абрамович М.И.

 1. Устройство для испытания силовых транзисторов по авт.св. N 1128203 (п. 1), отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено двумя сглаживающими индуктивностями и ведомым инвертором со средней точкой, которая подключена к выходу от средней точки источника питания, положительный и отрицательный полюса которого соединены с первыми выводами соответствующи...

 Силовой полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру, расположенную между токоподводами с мембранами и помещенную в изолирующий корпус, отличающийся тем, что, с целью повышения механической стойкости прибора при возникновении электрической дуги между токоподводами, на внутреннюю поверхность по крайней мере одного токоподвода с мембраной нанесен слой цинка или кадмия.

 Сущность изобретения: силовые электроды представляют собой диски, на боковой поверхности которых образована выступающая часть с наружным диаметром d1 . Диаметр d1 больше диаметра d2 полупроводникового элемента, зажатого между электродами. Выступающая часть силовых электродов имеет высоту h1 и отстоит от поверхности полупроводникового элемента на величину h3 . Величины d1, h1, h3 определяю...