Мац Илья Леонтьевич

 Использование: в микроэлектронике, а именно в конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов, в составе схем высокоомных источников сигнала. Сущность изобретения: в истоковом повторителе, содержащем основной полевой транзистор с управляющим p - n-переходом, выполненный на полупроводниковой подложке первого типа проводимости, на поверхности которой сформирован слой второго ти...

 Использование: в полупроводниковых приборах, предназначенных для усиления, генерации электрических сигналов в микроэлектронике. Сущность: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированный на ее поверхности полупроводниковый слой второго типа проводимости, изолирующую область первого типа проводимости, смыкающуюс...